イオンビームエッチング装置の技術仕様

1. エッチング室の到達真空度：9.0×10-5Pa以下。
エッチング材料：シリコン、石英、III.-V族化合物、セラミックスおよび各種金属、非金属硬質膜等； ３．
3. エッチング速度: 10 nm ～ 200 nm /min 以上 (特定のエッチング材料とプロセスによって異なります)。
4. イオン源: Φ150mm 直径円形 DC イオン源;
5.Ar+イオンエネルギー範囲:100~1000eV;
6. イオンビーム密度: 0~1 mA/cm2。